IEC 63601-2026 用于功率电子转换的碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南

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IEC 63601

第1.0 版2026-02

国际标准

用于功率电子转换的碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南

IEC

63601

:2026

-ICS 31.080.30 ISBN 978-2-8327-1019-7

02(en

此

版权

出版物

◎2026

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IEC，瑞士日内瓦

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IEC 63601:2026 C IEC 2026

前言................................................................................................................................................................................. 3

引言................................................................................................................................................................................. 5

1范围 ........................................................................................................................................................................ 6

2规范性引用 ..............................................................................................................................................................6

3术语和定义.............................................................................................................................................................6

4基于碳化硅的MOS器件中偏压-温度不稳定性（BTI）应力方法及偏移评估的考虑因素 ................................... 1

4.1 概述 .........................................................................................................................................1

4.2 由PBTI/NBTI应力引起的阈值电压偏移和滞后机制 .................................................................................. 12

4.3 阈值电压与滞后测量 ...................................................................................................................................12

4.3.1 关于阈值电压(VT)测量的说明............................................................................................................ 12

4.3.2 阈值电压（VT）的测量与信号调理.................................................................................................. 15

4.3.3 阈值滞后（V-HYST）与快速瞬态效应 ............................................................................................ 16

4.4 典型的PBTI/NBTI应力考量......................................................................................................................... 17

4.5 寿命预测模型与失效判定 ............................................................................................................................ 18

4.6 BTI方法概述..............................................................................................................................................20

5通用应力测量（MSM）方法 ................................................................................................................................ 21

6快速漏极电流（FDC）法 .....................................................................................................................................23

7栅极扫描MSM法....................................................................................................................................................24

调制方法

............................................................................................................................................................... 26

9滞后法（或双向检测法） .....................................................................................................................................27

10 三向法................................................................................................................................................................... 28

附件A（参考性）补充采样指南

....................................................................................................................................30

附件 B（参考性）展示 BTI 测量期间 VT偏移的示例 ................................................................................................. 31

B.1 总则 ........................................................................................................................................31

B.2 单次室性心动过速感知测量....................................................................................................................... 31

B.3 双室室性心动过速检测（滞后法）............................................................................................................ 33

B.4 三重室性心动过速检测（室性心动过速检测 +迟滞）.............................................................................. 35

附录 C（参考性）展示门极切换期间 VT 偏移的示例

................................................................................................. 37

附录 D（参考性）寿命模型 ..........................................................................................................................................39

附件 E（参考性）阈值电压（VT）稳定性及碳化硅（SiC）

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IEC63601第1.0版2026-02国际标准用于功率电子转换的碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南IEC63601:2026-ICS31.080.30ISBN978-2-8327-1019-702(en此版权出版物◎2026是受受保护IEC，瑞士日内瓦保留所有权利。除非另有说明，未经IEC或请求者所在国家的IEC成员国家委员会书面许可，不得以任何形式或任何手段（包括电子或机械方式，如复印和微缩胶卷）复制或使用本出版物的任何部分。如果您对IEC版权有任何疑问，或希望获得本出版物的其他权利，请联系以下地址或您当地的IEC成员国家委员会以获取更多信息。IEC秘书处电话：+41229...

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